150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package The part **IRFU13N15D** is a power MOSFET manufactured by **International Rectifier (IR)**. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files regarding its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 13A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 52A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.13Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) - 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 800pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
- The **IRFU13N15D** is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for high-efficiency power conversion.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** for improved efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load conditions.  
- **Low Gate Charge** for reduced drive requirements.  
- **TO-220AB Package** for easy mounting and heat dissipation.  

These details are based on the manufacturer's datasheet and technical specifications.

150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package

150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package The IRFU13N15D is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Key Specifications:**
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Part Number:** IRFU13N15D  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 13A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 52A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.15Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 350pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 35ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 25ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**
The IRFU13N15D is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high ruggedness, making it suitable for use in power supplies, motor control, and DC-DC converters.

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **High Current Handling:** Supports up to 13A continuous current.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load switching.  
- **TO-220AB Package:** Ensures good thermal performance and easy mounting.  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance:** Optimized for reliable switching.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and does not include any interpretations or recommendations.

150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package