200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package The **IRFSL31N20DPBF** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies (formerly International Rectifier, IR)**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
- **Infineon Technologies (IR)**  

### **Part Number:**  
- **IRFSL31N20DPBF**  

### **Type:**  
- **N-Channel Power MOSFET**  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 31A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 124A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.073Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 28nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1250pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 280pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 40pF (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching performance  

### **Package:**  
- **TO-252 (DPAK)**  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for high efficiency  
- **Fast Switching Speed** for improved performance in power applications  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in harsh conditions  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  
- **Optimized for DC-DC Converters, Motor Control, and Power Management**  

### **Applications:**  
- **Switching Power Supplies**  
- **Motor Control Circuits**  
- **DC-DC Converters**  
- **Automotive Systems**  
- **Industrial Power Applications**  

This MOSFET is designed for high-power, high-efficiency applications requiring low conduction losses and fast switching.

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package