IRFS9630

Advanced Power MOSFET The IRFS9630 is a Power MOSFET manufactured by Samsung. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Samsung  
- **Type:** P-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.5Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFS9630 is a high-voltage P-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low gate charge and fast switching speeds, making it suitable for power supplies, motor control, and other high-efficiency circuits.

### **Features:**  
- High voltage capability (-200V)  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- Improved dv/dt capability  
- Avalanche energy rated for ruggedness  
- TO-220AB package for easy mounting  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

Advanced Power MOSFET