500V N-Channel B-FET / Substitute of IRFS830 & IRFS830A The IRFS830BT is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor).  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 350pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-voltage, high-speed switching applications.  
- Low gate charge for improved efficiency.  
- Fast switching performance.  
- Avalanche energy specified for ruggedness.  
- Suitable for power supplies, motor control, and other high-voltage applications.  

This MOSFET is commonly used in power conversion and switching circuits.

500V N-Channel B-FET / Substitute of IRFS830 & IRFS830A