N-CHANNEL POWER MOSFET The IRFS530A is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- International Rectifier (Infineon Technologies)  

### **Part Number:**  
- IRFS530A  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.11Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1000pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 350pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  

### **Description:**  
- The IRFS530A is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-state resistance and fast switching speeds, making it suitable for high-efficiency power conversion.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching** for improved efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche energy rated** for ruggedness in inductive load switching.  
- **TO-220AB package** for easy mounting and heat dissipation.  

This information is based on standard datasheet specifications. For exact details, refer to the official datasheet from Infineon Technologies.

N-CHANNEL POWER MOSFET

N-CHANNEL POWER MOSFET The IRFS530A is a power MOSFET manufactured by FAIRCHILD Semiconductor. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** FAIRCHILD Semiconductor  
- **Part Number:** IRFS530A  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 14A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 56A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.16Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFS530A is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high ruggedness, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **High Current Capability:** Supports high drain current.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures robustness in harsh conditions.  
- **TO-220 Package:** Provides good thermal performance.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official FAIRCHILD documentation.

N-CHANNEL POWER MOSFET