HEXFET Power MOSFET The IRFS52N15DPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRFS52N15DPBF  

### **Description:**  
N-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 52A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 208A  
- **Power Dissipation (P_D):** 230W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.028Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 85nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2600pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 450pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 80pF (typical)  
- **Avalanche Energy (E_AS):** 450mJ  

### **Features:**  
- Low on-resistance for high efficiency  
- Fast switching performance  
- High current capability  
- Robust and reliable design  
- Suitable for power management applications  

### **Package:**  
TO-220AB (Through-Hole)  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- Industrial and automotive systems  

This information is based strictly on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

HEXFET Power MOSFET