IRFS4227PBF

PDP SWITCH The IRFS4227PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 195A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 780A  
- **Power Dissipation (P_D):** 330W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.7mΩ (max at V_GS = 10V)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 235nC (typical at V_DS = 50V, I_D = 195A)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 11000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 3100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 750pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFS4227PBF is a high-performance N-channel power MOSFET designed for applications requiring low on-resistance and high current handling. It is optimized for switching applications in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Enhances efficiency by reducing conduction losses.  
- **High Current Capability:** Supports high-power applications.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Avalanche Rated:** Ensures ruggedness in harsh conditions.  
- **TO-247 Package:** Provides excellent thermal performance.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

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