IRFS17N20DTRR

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRFS17N20DTRR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies (formerly International Rectifier, IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies (IR)  
### **Part Number:** IRFS17N20DTRR  
### **Type:** N-Channel Power MOSFET  
### **Package:** D2PAK (TO-263)  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **Power Dissipation (P_D):** 94W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.17Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 25nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 950pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 120pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 25pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 20ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 15ns (typical)  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses  
- **Fast Switching Speed** for high-efficiency applications  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness  
- **Low Gate Charge (Q_g)** for improved switching performance  
- **Optimized for High-Speed Switching** in power supplies, motor drives, and inverters  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

This MOSFET is designed for high-power applications requiring efficient switching and thermal performance.

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package