REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS The IRFR9020 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -3.1A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -12A  
- **Power Dissipation (P_D):** 31W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.2Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **Low Gate Charge**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Applications:** Power management, DC-DC converters, motor control, and switching circuits  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official IR documentation.

REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS

REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS The IRFR9020 is a P-Channel Power MOSFET manufactured by International Rectifier (INF). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -3.1A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -12A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 20W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.65Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 180pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 25pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFR9020 is a P-Channel MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is suitable for power management, DC-DC converters, motor control, and other low-voltage applications.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for low on-resistance and high switching speed.  
- **Fully Avalanche Rated** for rugged performance.  
- **Low Gate Charge** for fast switching.  
- **Lead-Free and RoHS Compliant.**  
- **TO-252 (DPAK) Package** for surface-mount applications.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed application notes, refer to the official documentation.

REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS

REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS The IRFR9020 is a P-channel HEXFET Power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -3.1A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -12A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 31W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.65Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**  
The IRFR9020 is a high-voltage P-channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET Technology** for efficient power handling  
- **Low Gate Charge** for fast switching  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to Infineon's official documentation.

REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS

REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS The IRFR9020 is a P-channel power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the manufacturer's specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -3.7A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -15A  
- **Power Dissipation (P_D):** 36W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.65Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 250pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFR9020 is a high-voltage P-channel MOSFET designed for switching applications. It offers low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management in various circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** -100V drain-source voltage rating.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-efficiency power conversion.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

The device is commonly used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other switching applications.  

(Note: Always refer to the latest datasheet for updated specifications.)

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