100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR540Z is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the manufacturer's specifications, descriptions, and features:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 33A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 130A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 44mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 72nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2100pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 140pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 45ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 40ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRFR540Z is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for high-efficiency power conversion in various electronic systems.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses  
- **Fast Switching Speed** for improved efficiency  
- **High Current Handling Capability**  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical specifications.

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package