200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR4620TRLPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.65Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 350pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 85pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFR4620TRLPBF is a N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high ruggedness, making it suitable for power management in various electronic systems.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Improves efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances reliability in inductive load switching.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **TO-252 (DPAK) Package:** Compact and suitable for surface-mount applications.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package