IRFR430APBF

500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR430APBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRFR430APBF  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 22A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.055Ω (at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 40ns  
- **Fall Time (t_f):** 15ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**  
The IRFR430APBF is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

### **Features:**  
- Low gate charge for improved switching efficiency  
- High current handling capability  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- Avalanche energy rated for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package