500V N-Channel B-FET / Substitute of IRFR420 & IRFR420A The IRFR420BTM is a power MOSFET manufactured by FAIRCHILD (now part of ON Semiconductor). Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  
### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** FAIRCHILD (ON Semiconductor)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 4.3A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 17A  
- **Power Dissipation (PD):** 48W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 1.2Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 50pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 10pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
### **Descriptions:**  
- The IRFR420BTM is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is optimized for high-speed switching and low conduction losses.  
- Suitable for applications like power supplies, motor control, and DC-DC converters.  
### **Features:**  
- **Fast Switching:** Designed for high-efficiency switching applications.  
- **Low Gate Charge:** Helps reduce switching losses.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in inductive load conditions.  
- **Improved dv/dt Capability:** Enhances performance in high-frequency circuits.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
This information is strictly based on the manufacturer's datasheet. For detailed application guidelines, refer to the official documentation.