500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR420APBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.2Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 45pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 40ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFR420APBF is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low gate charge and fast switching characteristics, making it suitable for high-efficiency power conversion.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 500V V_DS rating  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness  
- **TO-252 (DPAK) Package:** Compact and efficient thermal performance  
- **Pb-Free and RoHS Compliant:** Environmentally friendly  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package