100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR3910PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
1. **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
2. **Continuous Drain Current (I_D):** 14A (at 25°C)  
3. **Pulsed Drain Current (I_DM):** 56A  
4. **Power Dissipation (P_D):** 42W (at 25°C)  
5. **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
6. **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.065Ω (max) at V_GS = 10V  
7. **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
8. **Input Capacitance (C_iss):** 1000pF (typical)  
9. **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
10. **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60pF (typical)  
11. **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
12. **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typical)  
13. **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
14. **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**
- The IRFR3910PBF is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management, DC-DC converters, and motor control applications.  
- The device is RoHS compliant and lead-free.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Provides ruggedness under inductive load conditions.  
- **Improved dv/dt Capability:** Ensures reliable performance in switching circuits.  
- **TO-252 Package:** Offers good thermal performance and ease of mounting.  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRFR3910PBF.

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package