20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR3711ZPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies (formerly International Rectifier). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies (IR)  
- **Part Number:** IRFR3711ZPBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 42A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 168A  
- **Power Dissipation (P_D):** 45W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 6.0 mΩ @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V (min) - 4.0V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 35nC  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**
- The IRFR3711ZPBF is a high-current, low-on-resistance N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features a rugged and efficient design, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  
- The TO-252 (DPAK) package provides good thermal performance and is commonly used in surface-mount applications.  

### **Features:**
- **Low R_DS(on):** Ensures minimal conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V drive signals (with reduced R_DS(on) at higher V_GS).  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package