HEXFET Power MOSFET The IRFR3710ZPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies (formerly International Rectifier). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies (formerly International Rectifier, IR)  

### **Part Number:**  
IRFR3710ZPBF  

### **Description:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 42A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 168A  
- **Power Dissipation (P_D):** 110W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.023Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power switching.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhanced ruggedness.  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation:** Ensures reliable performance.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

### **Applications:**  
- Power supplies  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Battery management systems  
- High-current switching circuits  

This information is sourced directly from the manufacturer's datasheet and technical documentation.

HEXFET Power MOSFET