20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR3706CTRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRFR3706CTRPBF  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 140A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 560A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W @ 25°C  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **R_DS(on) (Max):** 3.7mΩ @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 150nC  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1200pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 360pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**  
The IRFR3706CTRPBF is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-state resistance (R_DS(on)) and high current handling capability, making it suitable for switching applications in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for high efficiency  
- Fast switching performance  
- High current capability  
- Robust and reliable HEXFET® technology  
- Avalanche energy specified  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package