Leaded 20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR3704ZTR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies (formerly International Rectifier, IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies (formerly International Rectifier, IR)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 130A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 520A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 2.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 120nC (typ) at V_DS = 20V, V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 5200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1700pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** D²PAK (TO-263)  

### **Descriptions and Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology:** Provides high efficiency and reliability.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures robustness in harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Applications:**  
  - DC-DC Converters  
  - Motor Control  
  - Power Management  
  - Battery Protection Circuits  
  - High-Current Switching  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.