Leaded 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR3411TR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRFR3411TR  
### **Type:** N-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 110W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.042Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 170pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 40ns  
- **Rise Time (t_r):** 35ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  

### **Description:**  
The IRFR3411TR is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Avalanche energy rated  
- Lead-free and RoHS compliant  
- TO-252 (DPAK) package  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Leaded 100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package