400V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR320 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:
### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  
### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 3.7A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 15A  
- **Power Dissipation (PD):** 38W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.85Ω (max at VGS = 10V, ID = 1.9A)  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 60pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 20pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 35ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
### **Description:**  
The IRFR320 is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is built using International Rectifier’s advanced HEXFET® technology, which provides low on-resistance and fast switching performance.  
### **Features:**  
- **HEXFET® Technology** for high efficiency  
- **Low Gate Charge** for fast switching  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness  
- **Low On-Resistance (RDS(on))** for reduced conduction losses  
- **Fully Characterized for Switching Applications**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  
The IRFR320 is commonly used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-efficiency switching applications.  
(Note: All specifications are based on the manufacturer’s datasheet.)