IRFR310TR

400V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR310TR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 25A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 100A  
- **Power Dissipation (PD):** 42W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.065Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 900pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 150pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 30pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 40ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFR310TR is a N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high current handling capability.  

### **Features:**  
- Low gate charge for improved switching performance  
- High current capability  
- Low on-resistance (RDS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching speed  
- Avalanche energy specified for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-efficiency switching applications.  

(Note: Always refer to the latest datasheet for precise specifications.)

400V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package