400V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR310PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRFR310PBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 23A  
- **Power Dissipation (P_D):** 42W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.065Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 400pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 110pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 40pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**
The IRFR310PBF is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It features low on-resistance, fast switching performance, and high efficiency, making it suitable for power management, DC-DC converters, motor control, and other switching applications.

### **Features:**
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Enhances power efficiency.  
- **Fast Switching Speed:** Reduces switching losses.  
- **High Voltage Rating (100V):** Suitable for medium-power applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in inductive load conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

400V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package