400V N-Channel B-FET / Substitute of IRFR310 & IRFR310A The IRFR310BTM is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor  
- **Part Number:** IRFR310BTM  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 21A  
- **Power Dissipation (P_D):** 42W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.13Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) - 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**  
The IRFR310BTM is an N-channel MOSFET designed for high-speed switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other power electronics applications.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Provides robustness in inductive load conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **TO-252 Package:** Compact surface-mount design for efficient PCB space utilization.  

For detailed datasheet information, refer to the official documentation from Fairchild/ON Semiconductor.

400V N-Channel B-FET / Substitute of IRFR310 & IRFR310A