400V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR310 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the manufacturer's specifications, descriptions, and features:  

### **Manufacturer Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 25A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 100A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.065Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 13A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFR310 is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is optimized for low on-resistance and high current handling, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for efficient power handling  
- **Low On-Resistance** for reduced conduction losses  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency applications  
- **Avalanche Energy Rated** for rugged performance  
- **Fully Characterized for Dynamic dV/dt**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  

The device is available in a TO-220AB package.  

(Source: International Rectifier Datasheet)

400V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package