Power MOSFET The IRFR224TRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications, descriptions, and features:
### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  
### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 11A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 44A  
- **Power Dissipation (PD):** 38W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.085Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 580pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 110pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 35pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 35ns (typical)  
### **Description:**  
The IRFR224TRPBF is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management, DC-DC converters, motor control, and other high-performance applications.  
### **Features:**  
- Low gate charge for improved switching performance  
- Low thermal resistance for efficient heat dissipation  
- 100% avalanche tested for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  
- TO-252 (DPAK) surface-mount package  
This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to Infineon’s official documentation.