200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR220PBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.8Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 11nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 350pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions and Features:**  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Application:** Designed for high-efficiency switching applications  
- **Fast Switching:** Low gate charge and low R_DS(on) for improved performance  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures ruggedness in inductive load applications  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-voltage switching circuits  

This information is based on the manufacturer's datasheet and product specifications.

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package