200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR220NTR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:
### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  
### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 2.4A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 9.6A  
- **Power Dissipation (PD):** 31W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 1.6Ω (max at VGS = 10V)  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 50pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 20pF (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching capability  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
### **Description:**  
The IRFR220NTR is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for low gate charge and fast switching performance, making it suitable for power management, DC-DC converters, and motor control applications.  
### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power switching.  
- **Fast Switching:** Reduces switching losses.  
- **Avalanche Energy Specified:** Improves reliability in rugged environments.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **TO-252 (DPAK) Package:** Compact surface-mount design for space-constrained applications.  
This information is based solely on the manufacturer's datasheet and does not include any additional recommendations.