200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR220NTR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRFR220NTR  
### **Type:** N-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2.2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 8.8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 35W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.8Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) - 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 30pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 25ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **TO-252 (DPAK)** – Surface-mount package with good thermal performance.  

### **Features:**  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching applications.  
- **Low Gate Charge:** Enhances efficiency in high-frequency circuits.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

### **Applications:**  
- Power supplies (SMPS)  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- LED drivers  
- Load switching  

This MOSFET is designed for medium-power applications requiring efficient switching performance.

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR220NTR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2.4A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 9.6A  
- **Power Dissipation (P_D):** 31W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.6Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching capability  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFR220NTR is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for low gate charge and fast switching performance, making it suitable for power management, DC-DC converters, and motor control applications.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power switching.  
- **Fast Switching:** Reduces switching losses.  
- **Avalanche Energy Specified:** Improves reliability in rugged environments.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **TO-252 (DPAK) Package:** Compact surface-mount design for space-constrained applications.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and does not include any additional recommendations.

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package