150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR18N15DPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 18A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 72A  
- **Power Dissipation (P_D):** 94W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.11Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 40nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1400pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low gate charge for fast switching performance.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Optimized for high-speed switching.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhanced ruggedness.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **Low Thermal Resistance:** Improves heat dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package