150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR18N15D is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 18A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 72A  
- **Power Dissipation (P_D):** 94W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.11Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 70pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- The IRFR18N15D is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It is part of IR's HEXFET® power MOSFET series, known for low on-resistance and fast switching speeds.  
- The device is suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Enhances efficiency in power switching.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides ruggedness in inductive load switching.  
- **Fully Characterized Dynamic Parameters:** Ensures reliable performance in switching circuits.  
- **TO-220AB Package:** Allows for easy mounting and thermal management.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package