200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR13N20D is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its key specifications, descriptions, and features based on the manufacturer's data:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 13A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 52A  
- **Power Dissipation (P_D):** 94W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.25Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1100pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 220pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**
The IRFR13N20D is an N-channel MOSFET designed for high-speed switching applications. It is optimized for low on-resistance and high efficiency in power management circuits, motor control, and DC-DC converters.

### **Features:**
- **Advanced HEXFET® Technology** for low conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** for improved efficiency.  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness.  
- **Fully Characterized Dynamic Performance** for reliable operation.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant** for environmental safety.  
- **TO-252 (DPAK) Package** for surface-mount applications.  

This information is sourced from the manufacturer's datasheet and provides only factual details.

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package