HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 0.27Ω , ID = 7.7A ) The IRFR120PBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.27Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 2.1A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 400pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 90pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 40pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFR120PBF is an N-channel Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and improved thermal performance.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency in power applications.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness under inductive load conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **TO-252 (DPAK) Package:** Compact and suitable for surface-mount applications.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 0.27Ω , ID = 7.7A )