100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR120NTR is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 34A  
- **Power Dissipation (P_D):** 42W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.27Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFR120NTR is an N-channel Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management, DC-DC converters, motor control, and other high-performance applications.  

### **Features:**  
- **Low Gate Charge** for improved switching efficiency  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency applications  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness in inductive load applications  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  
- **TO-252 (DPAK) Package** for surface-mount applications  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical specifications.

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The **IRFR120NTR** is a power MOSFET manufactured by **International Rectifier (IRF)**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** IRF (International Rectifier)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8.7A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 34A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 42W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.27Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 12nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The **IRFR120NTR** is a **surface-mount** (SMD) MOSFET in a **TO-252 (DPAK)** package.  
- It is designed for **high-efficiency switching applications** in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  
- Features **low on-resistance** and **fast switching speeds**, making it suitable for high-performance applications.  

### **Features:**
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching** capability for improved efficiency.  
- **Avalanche energy rated** for ruggedness in inductive load applications.  
- **Lead-free and RoHS compliant**.  
- **Surface-mount package (DPAK)** for compact PCB designs.  

This MOSFET is commonly used in **switching regulators, motor drivers, and power management circuits**.  

(Note: Always refer to the official datasheet for precise details.)

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package