100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR120NTR is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:
### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  
### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 8.7A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 34A  
- **Power Dissipation (PD):** 42W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.27Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 500pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 100pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 35ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
### **Description:**  
The IRFR120NTR is an N-channel Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management, DC-DC converters, motor control, and other high-performance applications.  
### **Features:**  
- **Low Gate Charge** for improved switching efficiency  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency applications  
- **Low On-Resistance (RDS(on))** for reduced conduction losses  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness in inductive load applications  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  
- **TO-252 (DPAK) Package** for surface-mount applications  
This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical specifications.