8.4A, 100V, 0.270 Ohm, N-Channel Power MOSFETs The IRFR120 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Key Specifications:**
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 20A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.27Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 200pF (typical)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**
The IRFR120 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for switching applications. It offers low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other power switching applications.

### **Features:**
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for efficient power handling.  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load switching.  
- **Improved dv/dt Capability** for better noise immunity.  
- **TO-252 (DPAK) Package** for surface-mount applications.  

This information is sourced from the official IR datasheet for the IRFR120.

8.4A, 100V, 0.270 Ohm, N-Channel Power MOSFETs