55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR024NPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **Power Dissipation (P_D):** 45W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.065Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 16nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 750pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 120pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 40pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**  
The IRFR024NPBF is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-current applications.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- Fast switching speed for improved efficiency  
- High current handling capability  
- Avalanche energy rated for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to Infineon's official documentation.

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package