60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR024 is an N-channel Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the manufacturer's specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 51A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.055Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 8.5A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1000pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**
- The IRFR024 is a high-performance MOSFET designed for switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-efficiency applications.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Improves reliability in inductive load switching.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces susceptibility to voltage spikes.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

For detailed datasheet information, refer to the official International Rectifier documentation.

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR024 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
- IRFR024  

### **Type:**  
- N-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 19A  
- **Power Dissipation (P_D):** 35W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.18Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  

### **Package:**  
- TO-252 (DPAK)  

### **Features:**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low On-Resistance**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation**  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- Load switching  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed electrical characteristics and performance curves, refer to the official documentation.

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package