Power MOSFET The IRFPS29N60LPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (VDS):** 600V  
- **Current Rating (ID):** 29A (at 25°C)  
- **Power Dissipation (PD):** 300W  
- **RDS(on) (Max):** 0.19Ω (at VGS = 10V)  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 4V (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 3200pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 400pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 50pF (typical)  
- **Avalanche Energy (EAS):** 800mJ  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Package:** TO-247AC  
- **Type:** N-Channel  
- **Application:** High-efficiency power switching in industrial, automotive, and consumer applications.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (RDS(on)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- High ruggedness and reliability.  
- Improved dv/dt capability.  
- Avalanche energy specified for robustness in harsh conditions.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

Power MOSFET