IRFPG50PBF

1000V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFPG50PBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 1000V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.0Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V to 4.0V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 70pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 60ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 90ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 50ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFPG50PBF is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low gate charge and fast switching speeds, making it suitable for high-efficiency power supplies, inverters, and motor control circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 1000V breakdown voltage for robust performance.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed power switching.  
- **Low Gate Charge:** Reduces drive requirements.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances reliability in rugged conditions.  
- **TO-247 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based on the manufacturer's datasheet.

1000V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package