1000V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFPG40PBF is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 900V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W @ 25°C  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 2.5Ω @ V_GS = 10V, I_D = 2.1A  
- **Input Capacitance (C_iss):** 650pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 110pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 65ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFPG40PBF is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features a fast switching speed, low gate charge, and high ruggedness, making it suitable for high-efficiency power supplies, inverters, and motor control circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (900V)**  
- **Low Gate Charge (Qg: 30nC)**  
- **Fast Switching Performance**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **TO-247AC Package for Efficient Heat Dissipation**  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

1000V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package