900V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFPF50PBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRFPF50PBF  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 900V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.5A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 26A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 36nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 900pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 110pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 25pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 80ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 35ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247AC  

### **Description:**  
The IRFPF50PBF is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features a low gate charge and fast switching characteristics, making it suitable for high-efficiency power supplies, inverters, and motor control circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (900V)**  
- **Low Gate Charge (36nC typical)**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **TO-247AC Package for Enhanced Power Dissipation**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and knowledge base.

900V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package