900V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFPF40PBF is a Power MOSFET manufactured by Vishay. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** IRFPF40PBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 900V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.7A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 19A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 2.5Ω (at V_GS = 10V, I_D = 2.4A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 4V (min)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 200pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 20ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 70ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 70ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 30ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247AC  

### **Descriptions:**  
- The IRFPF40PBF is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is suitable for high-voltage, high-speed switching in power supplies, inverters, and motor control circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 900V breakdown voltage.  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching performance.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness in inductive load conditions.  
- **Low On-Resistance:** Improves efficiency in power applications.  
- **TO-247AC Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is based on Vishay's datasheet for the IRFPF40PBF.

900V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package

900V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFPF40PBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 900V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.7A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 19A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 2.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 25ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 70ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**
The IRFPF40PBF is a high-voltage N-channel Power MOSFET designed for switching applications. It features low gate charge, fast switching speeds, and high ruggedness, making it suitable for power supplies, inverters, and motor control applications.

### **Features:**
- **High Voltage Capability:** 900V V_DS rating  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures reliability under inductive load conditions  
- **TO-247 Package:** Provides good thermal performance  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

900V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package