500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFP32N50KPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies (formerly International Rectifier). Here are the key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 32A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 128A  
- **Power Dissipation (P_D):** 230W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.19Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 70nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2400pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247AC  

### **Descriptions:**  
- The IRFP32N50KPBF is an N-channel MOSFET designed for high-power switching applications.  
- It is optimized for high efficiency and fast switching performance.  
- Suitable for use in power supplies, motor control, inverters, and other high-voltage applications.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** improves efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness in inductive load conditions.  
- **Low Gate Charge** minimizes drive requirements.  
- **Improved dv/dt Capability** for better noise immunity.  

This MOSFET is part of Infineon’s HEXFET® power MOSFET series, known for reliability and performance in demanding applications.