IRFP240PBF

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFP240PBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 19A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 72A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.085Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 9A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 400pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 120pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 44ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**
The IRFP240PBF is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It features low on-resistance, high current handling, and robust thermal performance, making it suitable for power supplies, motor control, and amplifiers.  

### **Features:**
- **Advanced HEXFET® Technology** for efficient power handling  
- **Low On-Resistance** for reduced conduction losses  
- **Fast Switching Speed** for improved efficiency  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in harsh conditions  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package