IRFP150PBF

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFP150PBF is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** IRFP150PBF  
- **Transistor Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 42A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 180W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.055Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-247AC  

### **Description:**  
The IRFP150PBF is a high-current, high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for high-efficiency power supplies, motor control, and other power management applications.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **High Current Handling:** Supports up to 42A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load switching.  
- **TO-247AC Package:** Provides efficient thermal dissipation.  
- **Silicon Technology:** Ensures reliability and performance.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and product documentation.

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package