IRFM220A

Advanced Power MOSFET The IRFM220A is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor)  
- **Part Number:** IRFM220A  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17.6A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.55Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220AB (Through-Hole)  

### **Description:**  
The IRFM220A is an N-channel MOSFET designed for high-speed switching applications, offering low on-resistance and high efficiency. It is commonly used in power supplies, motor control, and other high-voltage switching circuits.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses  
- **Fast Switching Speed** for improved efficiency  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness in inductive load applications  
- **Improved dv/dt Capability** for enhanced performance in high-frequency circuits  
- **TO-220 Package** for easy mounting and heat dissipation  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the IRFM220A. For exact performance characteristics, refer to the official documentation.

Advanced Power MOSFET