IRFM110A

N-CHANNEL POWER MOSFET The IRFM110A is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 75A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 300A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.011Ω (typical at V_GS = 10V)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 800pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 20ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Fall Time (t_f):** 25ns  

### **Description:**  
The IRFM110A is a high-performance N-Channel MOSFET designed for high-power switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Fast switching speed for high-efficiency applications  
- High current-handling capability  
- Robust and reliable performance in power circuits  
- TO-247 package for effective heat dissipation  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical specifications.

N-CHANNEL POWER MOSFET