IRFL024NTR

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 package The IRFL024NTR is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 21A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 3.1W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.18Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 5.3nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 180pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 45pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFL024NTR is a compact, surface-mount N-Channel MOSFET designed for low-voltage applications requiring high efficiency and fast switching. It is optimized for power management in portable electronics, DC-DC converters, and motor control circuits.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **SOT-23 Package:** Compact footprint for space-constrained designs.  

This information is based on Infineon's official datasheet for the IRFL024NTR.

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 package