IRFK4J350+

ISOLATED BASE POWER HEX PAK ASSEMBLY PARALLEL CHIP CONFIGURATION The part **IRFK4J350+** is a Power MOSFET manufactured by **International Rectifier (IR)**. Below are the specifications, descriptions, and features based on available information:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Part Number:** IRFK4J350+  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 350V  
- **Current Rating (I_D):** 4A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D):** Typically around 40W (depending on thermal conditions)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** Typically in the range of milliohms (exact value depends on gate drive)  
- **Package Type:** TO-3P (or similar power package)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The **IRFK4J350+** is designed for high-voltage switching applications, such as power supplies, motor control, and inverters.  
- It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for efficient power conversion.  
- The TO-3P package provides good thermal performance for heat dissipation.  

### **Features:**
- **High Voltage Capability (350V)** – Suitable for industrial and high-power applications.  
- **Low Gate Charge** – Enables fast switching and reduced switching losses.  
- **Avalanche Energy Rated** – Provides robustness in inductive load conditions.  
- **Low R_DS(on)** – Improves efficiency by minimizing conduction losses.  
- **TO-3P Package** – Offers mechanical durability and thermal performance.  

For exact datasheet details, refer to the official **International Rectifier (IR)** documentation.

ISOLATED BASE POWER HEX PAK ASSEMBLY PARALLEL CHIP CONFIGURATION