900V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The part **IRFIBF30G** is a Power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 600V  
- **Current Rating (I_D):** 5.5A (continuous at 25°C)  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.2Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 350pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typical)  
- **Switching Speed (t_d(on), t_d(off)):** Fast switching performance  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
The **IRFIBF30G** is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for high-efficiency power conversion in various circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (600V)**  
- **Low Gate Charge**  
- **Fast Switching Performance**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **TO-220F Package (Fully Insulated)**  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, inverters, and other high-voltage switching applications.  

(Note: Always refer to the latest datasheet for updated specifications.)