900V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The IRFIBF20G is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on the manufacturer's data:

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRFIBF20G  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2.5A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 10A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 3.0Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 1.25A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V to 4.0V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 130pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 20pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFIBF20G is a high-voltage N-channel MOSFET designed for fast switching applications. It is optimized for efficiency in power conversion circuits, motor control, and other high-voltage switching applications.  

### **Features:**  
- **Fast Switching Speed** for improved efficiency.  
- **Low Gate Charge** for reduced drive requirements.  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load applications.  
- **Low On-Resistance** for minimized conduction losses.  
- **TO-220AB Package** for easy mounting and thermal performance.  
- **Pb-Free and RoHS Compliant** for environmental safety.  

This information is sourced from Infineon's official datasheet for the IRFIBF20G.